IXFH 18N60P
IXFV 18N60P IXFV 18N60PS
18
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
40
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
16
14
12
V GS = 10V
8V
7V
6V
35
30
25
V GS = 10V
8V
7V
10
20
8
6
15
6V
4
10
2
0
5V
5
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
18
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = 10V
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 9A Value vs.
Junction Temperature
V GS = 10V
16
7V
2.8
14
2.4
12
6V
10
8
6
5V
2
1.6
I D = 18A
I D = 9A
1.2
4
2
0
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 9A Value vs.
Drain Current
20
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
3
2.8
V GS = 10V
T J = 125oC
18
16
2.6
2.4
2.2
2
1.8
14
12
10
8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
IXFV22N50PS MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD
IXFV26N50PS MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
IXFV30N50PS MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
IXFV36N50PS MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD
IXFV74N20PS MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S
IXFV96N15PS MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S
IXFX120N25P MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
IXFX120N30T MOSFET N-CH 120A 300V PLUS247
相关代理商/技术参数
IXFV18N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV18N90PS 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV20N80P 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV20N80PS 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV22N50P 功能描述:MOSFET 500V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV22N50PS 功能描述:MOSFET 500V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV22N60P 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV22N60PS 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube